2018年8月に米国シリコンバレーで開催された、フラッシュメモリとその応用製品に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット(FMS:Flash Memory Summit)」でMKW Venture Consulting, LLCでアナリストをつとめるMark Webb氏が、「Annual Update on Emerging Memories」のタイトルで講演した半導体メモリ技術に関する分析を、シリーズでご紹介している。
なお講演の内容だけでは説明が不十分なところがあるので、本シリーズでは読者の理解を助けるために、講演の内容を適宜、補足している。あらかじめご了承されたい。
本シリーズの第4回でご説明したように、コンピュータのメモリ/ストレージ階層における次世代メモリの立ち位置は、DRAM階層とNANDフラッシュメモリ階層の間にある。
次世代メモリの「理想と現実」 (1/2) – EE Times Japan
https://eetimes.jp/ee/articles/1904/11/news028.html
メモリ/ストレージ階層の隣接する階層間における遅延時間(レイテンシ)のギャップが、DRAMとNANDフラッシュメモリの間で大きく開いているからだ。遅延時間の違いは約4桁もある。
ギャップが大きいということは、新たな階層を挟む余地がある、ということでもある。NANDフラッシュメモリのストレージであるSSDが登場する以前の時代は、DRAMの次にくるメモリ/ストレージ階層はHDDだった。DRAMとHDDの遅延時間のギャップはさらに大きく、約6桁におよんだ。SSDは、DRAMと次の階層のギャップを約4桁にまで縮め、コンピュータの性能向上に大きく寄与した。
しかしコンピュータにおけるメモリ/ストレージ階層のバランスは、まだ改善の余地が大いに残っている。この改善に寄与するのが、次世代メモリだともいえる。
https://image.itmedia.co.jp/ee/articles/1905/22/l_mm190521storage1.jpg
コンピュータのメモリ/ストレージと遅延時間(レイテンシ)の関係。DRAMとNANDフラッシュメモリのギャップが約4桁と大きい。出典:MKW Venture Consulting, LLC
□最有力候補のメモリ技術3種とその現状
次世代メモリの最有力候補は、3つのメモリ技術に絞られる。相変化メモリ(PCM)、磁気抵抗メモリ(MRAM)、抵抗変化メモリ(ReRAM)である。
相変化メモリ(PCM)は当初、単体のメモリとして128Mビット品が市販されたほか、異なる種類のメモリを混載するマルチチップパッケージとしてカスタム品が製品化された。しかしこれらの製品は、一時期の販売にとどまった。
PCMの復活は3次元クロスポイント構造とともに生じた。IntelとMicron Technologyが共同開発した高速大容量不揮発性メモリ「3D XPointメモリ」である。IntelとMicronはメモリ技術の詳細を公式には明らかにしていない。しかしシリコンダイを分析した調査企業によるレポートから、PCMであることが判明した。現在では「3D XPointメモリ」が、DRAMを超える大容量化に成功した初めての次世代メモリであるとともに、PCM技術の代表的な商業化事例となっている。
磁気抵抗メモリ(MRAM)は、ベンチャー企業によって4Mビットの単体メモリから製品化が始まった。現在では、単体メモリの量産品は256Mビットまで大容量化が進んでいる。さらに最近では、マイクロコントローラーやSoC(System on a Chip)などで従来の埋め込みフラッシュメモリを置き換える、埋め込みMRAMが大手のシリコンファウンダリーによって提供され始めた。
抵抗変化メモリ(ReRAM)は、マイクロコントローラーの埋め込みメモリとして製品化が始まった。小容量の単体メモリも市販されている。また、大手のシリコンファウンダリーが埋め込みReRAMを近く提供するとみられる。
次回以降は、これら3種類の次世代メモリ技術について解説していく予定である。
https://image.itmedia.co.jp/ee/articles/1905/22/l_mm190521storage2.jpg
次世代メモリの最有力候補とその現状。相変化メモリ(PCM)、磁気抵抗メモリ(MRAM)、抵抗変化メモリ(ReRAM)がある。MKW Venture Consulting, LLC
(次回に続く)
⇒「福田昭のストレージ通信」連載バックナンバー一覧
https://eetimes.jp/ee/series/746/
EE Times Japan
https://eetimes.jp/ee/articles/1905/22/news035.html
昔、次世代メモリはランバスメモリとか言ってただよな。
Nintendo64で使ってたね。
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メーカーの研究開発でこの領域やってるのは東芝くらいやね。まぁそれも買われてしまったけど。
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そのくらいは今でも十分に到達してると思う
HDDでもRAID組んだらすぐに出来るんじゃないか
そうとう昔のSCSI HDDのRAIDでも240MB/sくらいは出てたぞ
エンタープライズストレージだと15年くらい前に達成してたね
NVMeSSDなら転送速度3GB/sだから余裕
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芸人みたいなもんじゃないか
いい加減、現世代になれや
容量が大きくならないからねえ
SRAMは容量だけでなく消費電力も
高いんでなかったかな
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今は消費電力だと逆転しているはず
CMOSが進化してSRAMの消費電力は減った
逆にDRAMはインターフェースの高速化とリフレッシュが必要なので消費電力は上がっている
もうあいつ等追い出せよ
CPUに3次キャッシュまで積んで緩和してるけどメモリバス部分が一向に進化しないのどうして?
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メモリバスの周波数を高くすると配線に制限できるので、DIMMで拡張するのは放棄しないといけない。
GDDRみたいにGPUとメモリが基板直結ならば、メモリバスを高速化できるけど拡張できない。
メモリバスの幅を広げてなおかつメモリバスの周波数を高くするならHBMみたいにダイの中でGPUとHBMを直結するしかない。
PCの場合大半は買ったまま増設なんかしないんだから、8とか16とか決めうちで作っちゃえばいいのにね。パフォーマンス劇的に改善するなら需要あるんじゃね。
それよりもほとんどのPCのボトルネックはHDDなんだよね
SSDが当然になるまではメモリバスの問題はマニアじゃないと気にしないのでは?
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実用レベルと言ってよいのでは
PCMは寿命がDRAMより短いので、フラッシュの代わりにしかならないような
フラッシュよりも寿命は長いらしい
次世代技術としては誰も見向きもしなかったってNHKの番組で言ってた
みんなが群がる山に一緒になって群がるようではIT業界でヒットは出せないかも
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開発者の自伝的な本で
成功してからお偉いさんが掌返したって愚痴を書いてあった
体感で変わらなそうじゃね?
普通の人は今のメモリ性能で十分
普通の人はHDDをSSDに変えるだけでそれ以上望む必要がない性能のPCを手に入れることができる
正直、SSDが安くなったら普通の人がPCスペックを気にすることはなくなる
今のメモリ性能に不満な人は限られている
・グラフィックスが豪華なゲームをする人
・ビデオ編集系のアプリで高解像度動画を扱う人
・科学技術計算を大量にする人
この程度では?
>正直、SSDが安くなったら普通の人がPCスペックを気にすることはなくなる
確かにSSDが当然になってHDDが絶滅したら、PCのコモディティ化はさらに進むのは間違いない。
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3D XpointはNANDの10倍程度しか速くない
10倍程度ならSLCでもけっこう迫れるんだよね
あまり次世代と呼びたくない
だが中国は日本がどのようにして潰されたか知っている。
協定は間違いなく中国に不利な協定になるので、協定自体を結ばないという手段を用いるかもしれない。
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日米半導体協定で100%の関税をかけられ、プラザ合意でわずかな期間に1ドル240円から
110円にまでなったんだから。
言ってた気がするけど結局DRAMのままだな
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元スレ:http://egg.5ch.net/test/read.cgi/bizplus/1558675627/
Source: mindhack
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